[发明专利]真空腔室间的密封有效
| 申请号： | 200880024369.9 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101743620A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 葛列格里·D·斯罗森;杰弗里·A·柏吉斯 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/00;H01J37/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种密封系统，包括第一真空腔室和第二真空腔室。密封系统包括具有远端和近端的第一密封单元，第一密封单元的近端配置于第一真空腔室上。密封系统还包括具有远端和近端的第二密封单元，第二密封单元的远端配置于第一密封单元的远端上，并且第二密封单元的近端配置于第二真空腔室上。密封单元中的一个为凹形的，另一个为凸形的。密封系统还包括第一O型圈、第二O型圈和第三O型圈。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 密封 | ||
【主权项】：
一种密封系统，包括：第一真空腔室，具有定义第一真空腔室开孔的壁；第二真空腔室，具有定义第二真空腔室开孔的壁；第一密封单元，具有定义开口的主体，所述第一密封单元具有近端和远端，所述第一密封单元的所述近端配置于所述第一真空腔室上；第一O形圈，配置于所述第一密封单元和所述第一真空腔室之间；第二密封单元，具有定义开口的主体，所述第二密封单元具有近端和远端，所述第二密封单元的所述远端配置于所述第一密封单元的所述远端上，所述第二密封单元的所述近端配置于所述第二真空腔室上；第二O形圈，配置于所述第二密封单元和所述第二真空腔室之间；以及第三O形圈，配置于所述第二密封单元和所述第一密封单元之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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