[发明专利]存储元件及存储器

摘要

本发明提供了一种不需要增大写入电流就能提高热稳定性的存储元件和存储器。该存储器的构造包括：存储元件(3)，具有根据磁性物质的磁化状态保持信息的存储层(17)，其中，在存储层(17)上设置磁化固定层(31)，其间插入有中间层(16)，中间层(16)由绝缘体形成，并且存储层(17)的磁化方向M1通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将信息记录到存储层(17)，并将变形从存在于存储层(17)周围且热膨胀系数小于存储层(17)的绝缘层施加到存储层(17)上；以及配线，用于提供在存储元件(3)的层压方向上流动的电流。

主权项

一种存储元件，包括：存储层，根据磁性物质的磁化状态保持信息，其中，在所述存储层上设置磁化固定层，其间插入有中间层，所述中间层由绝缘体形成，所述存储层的磁化方向通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将所述信息记录到所述存储层，所述存储层的热膨胀系数等于或者大于1×10-5[/K]，以及至少在所述存储层的周围设置热膨胀系数等于或小于5×10-6[/K]的绝缘层，从而将变形施加到所述存储层上。