[发明专利]具备薄膜晶体管的半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，其具备至少一个薄膜晶体管116，所述薄膜晶体管116具有沟道形成区域110、包含源极区域和漏极区域113的晶质半导体层120、控制沟道形成区域110的导电性的栅极电极107、设置在半导体层120与栅极电极107之间的栅极绝缘膜106以及分别连接源极区域和漏极区域113的源极电极和漏极电极115，源极区域和漏极区域113中的至少一方区域包含成为施主或者受主的元素和稀有气体元素，沟道形成区域110不包含稀有气体元素，稀有气体元素的原子量大于成为施主或者受主的元素的原子量，至少一方区域在厚度方向上的稀有气体元素浓度从至少一方区域的上表面向下表面连续降低。

主权项

一种半导体装置，其具备至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有：基板；晶质半导体层，其形成在上述基板上，包括沟道形成区域、源极区域以及漏极区域；栅极电极，其控制上述沟道形成区域的导电性；栅极绝缘膜，其设置在上述半导体层与上述栅极电极之间；以及源极电极和漏极电极，其分别与上述源极区域和漏极区域连接，上述源极区域和漏极区域中的至少一方区域包含成为施主或者受主的元素和稀有气体元素，上述沟道形成区域不包含上述稀有气体元素，上述稀有气体元素的原子量大于上述成为施主或者受主的元素的原子量，上述至少一方区域在厚度方向上的上述稀有气体元素的浓度从上述至少一方区域的上表面向下表面连续降低。