[发明专利]烧结硅晶片无效
| 申请号： | 200880024488.4 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101743195A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 铃木了;高村博 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种烧结硅晶片，其特征在于，通过X射线衍射测定的(220)面的强度与(111)面的强度之比[I(220)/I(111)…(1)]为0.5以上、0.8以下，并且(311)面的强度与(111)面的强度之比[I(311)/I(111)…(2)]为0.3以上、0.5以下。本发明提供具有平滑表面、并且具有与单晶硅同等的表面粗糙度的烧结硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 晶片 | ||
【主权项】：
一种烧结硅晶片，其特征在于，通过X射线衍射测定的(220)面的强度与(111)面的强度之比[I(220)/I(111)…(1)]为0.5以上、0.8以下，并且(311)面的强度与(111)面的强度之比[I(311)/I(111)…(2)]为0.3以上、0.5以下。
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