[发明专利]经由种子印刷和镀覆进行的接触金属和互连金属的印刷无效
申请号: | 200880024999.6 | 申请日: | 2008-07-17 |
公开(公告)号: | CN101755339A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 阿迪提·钱德拉;阿尔万德·卡玛斯;詹姆斯·蒙塔格·克里夫斯;约尔格·罗克恩伯格;高岛真穗 | 申请(专利权)人: | 蔻维尔公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 李剑;南霆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了利用包括硅化物形成金属的墨水来形成接触(和可选地,局部互连)的方法,包括这种接触和(可选的)局部互连的诸如二极管和/或晶体管之类的电器件,以及用于形成这种器件的方法。形成接触的方法包括以下步骤:将硅化物形成金属的墨水沉积到暴露的硅表面上,使墨水干燥以使硅化物形成金属前驱体形成,加热硅化物形成金属前驱体和硅表面以形成金属硅化物接触。可选地,金属前驱体墨水可以选择性地沉积到与暴露的硅表面相邻的电介质层上以形成包含金属的互连。此外,个或多个本体导电金属可以沉积在其余的金属前驱体墨水和/或电介质层上。可以利用这样的印刷接触和/或局部互连来制造诸如二极管和晶体管之类的电器件。 | ||
搜索关键词: | 经由 种子 印刷 镀覆 进行 接触 金属 互连 | ||
【主权项】:
一种制造金属硅化物接触的方法,包括以下步骤:a)将包含硅化物形成金属的墨水沉积到暴露的硅表面上;b)使所述墨水干燥以形成硅化物形成金属前驱体;以及c)将所述硅化物形成金属前驱体和所述硅表面加热到第一温度达足以形成所述金属硅化物接触的时间长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蔻维尔公司,未经蔻维尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880024999.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的