[发明专利]电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。

主权项

一种电流限制元件，其构成为势垒层被第一电极层和第二电极层夹着，该电流限制元件的特征在于：所述势垒层包含元素A和硅，其中，A为氮、碳或氧，元素A相对于硅的组成比，在厚度方向上的中央部，比在所述第一电极层与所述势垒层的界面附近以及所述第二电极层与所述势垒层的界面附近高，势垒高度，在厚度方向上的中央部，比在所述第一电极层与所述势垒层的电极界面附近以及所述第二电极层与所述势垒层的电极界面附近大。