[发明专利]使用全有机纳米晶网络的高效太阳能电池有效
申请号: | 200880025164.2 | 申请日: | 2008-07-16 |
公开(公告)号: | CN101803055A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 杨帆;史蒂芬·R·福里斯特 | 申请(专利权)人: | 密歇根大学董事会;普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供光电子器件和制造光敏光电子器件的方法,所述方法包括:在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成连续的第一层;在所述第一层上淀积第二有机半导体材料层以形成不连续的第二层,所述第一层的部分保持暴露;且在所述第二层上淀积所述第一有机半导体材料以形成不连续的第三层,至少所述第二层的部分保持暴露。将淀积所述第一和第二有机半导体材料交替多次,直至添加所述第二有机材料的最终层以形成连续层。在该最终层上淀积第二电极。所述第一电极和所述第二电极中的一个是透明的,并且所述第一有机半导体材料相对于所述第二有机半导体材料,是一种或多种施主型材料或一种或多种受主型材料,所述第二有机半导体材料为一种或多种其他材料类型的材料。 | ||
搜索关键词: | 使用 有机 纳米 网络 高效 太阳能电池 | ||
【主权项】:
制造光敏光电子器件的方法,包括:在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成连续的第一层;在所述第一层上淀积第二有机半导体材料以形成不连续的第二层,所述第一层的部分保持暴露;在所述第二层上直接淀积所述第一有机半导体材料以形成不连续的第三层,至少所述第二层的部分保持暴露;交替淀积所述第一和第二有机半导体材料;淀积所述第二有机半导体材料以形成连续的第四层;和在所述第四层上淀积第二电极,其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个是透明的,以及所述第一有机半导体材料相对于所述第二有机半导体材料,是一种或多种施主型材料或一种或多种受主型材料,所述第二有机半导体材料是一种或多种其他材料类型的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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