[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880025658.0 申请日: 2008-08-25
公开(公告)号: CN101803008A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 青木智幸;鹤目卓也;安达广树;堀越望;大谷久 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;G06K19/07;G06K19/077;H01L21/02;H01L21/336;H01L21/56;H01L23/31;H01L27/12;H01L29/786
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 形成分离层、以及包括薄膜晶体管的半导体元件层;形成与半导体元件层电连接的导电树脂;在半导体元件层和导电树脂上形成包含纤维体及有机树脂层的第一密封层;在第一密封层、半导体元件层及分离层中形成槽;将液体滴落在槽中以将分离层和半导体元件层分离;通过去除导电树脂上的第一密封层,形成开口部;将第一密封层及半导体元件层的组分割成芯片;将芯片接合到在基材上形成的天线;以及以覆盖天线及芯片的方式形成包含纤维体及有机树脂层的第二密封层。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成分离层、以及包括薄膜晶体管的半导体元件层;形成与所述半导体元件层电连接的导电树脂;在所述半导体元件层和所述导电树脂上形成包括第一纤维体及第一有机树脂层的第一密封层;在所述第一密封层、所述半导体元件层及所述分离层中形成槽;通过将液体滴落在所述槽中,使所述分离层和所述半导体元件层互相分离;通过去除所述导电树脂上的所述第一密封层的一部分,形成开口部;将所述第一密封层及所述半导体元件层分割成芯片;将所述芯片接合到导电膜;以及以覆盖所述导电膜及所述芯片的方式形成包括第二纤维体及第二有机树脂层的第二密封层,其中,所述半导体元件层形成在所述分离层上,并且,所述第一密封层的所述一部分与所述导电树脂重叠。
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