[发明专利]多孔质二氧化硅前体组合物及其制备方法、多孔质二氧化硅膜及其形成方法、半导体元件、图像显示装置及液晶显示装置无效
| 申请号： | 200880100611.6 | 申请日： | 2008-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101765561A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 中山高博;野末龙弘;村上裕彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C09D1/00;G02F1/1337;H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种多孔质二氧化硅前体组合物，由下述成分混合进行制备：化学式1：R1m(R2-O)4-mSi(式中，R1和R2为烷基，可以相同或不相同，m表示0～3中的任意整数)表示的有机硅烷、水、醇以及化学式2：R3N(R4)3X(式中，R3和R4为烷基，可以相同或不相同，X表示卤素原子)表示的季铵化合物。涂布、烧制多孔质二氧化硅前体组合物而形成多孔质二氧化硅膜。具有多孔质二氧化硅膜的半导体元件、图像显示元件、液晶显示元件。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 二氧化硅 组合 及其 制备 方法 形成 半导体 元件 图像 显示装置 液晶 | ||
【主权项】：
多孔质二氧化硅前体组合物，其特征在于含有：化学式1：R1m(R2-O)4-mSi表示的有机硅烷，式中R1和R2为烷基，可以相同或不相同，m为0～3中的任意整数；水；醇；以及化学式2：R3N(R4)3X表示的季铵化合物，式中R3和R4为烷基，可以相同或不相同，X为卤素原子。
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