[发明专利]处理高k电介质以实现CET缩放的方法无效
| 申请号： | 200880100700.0 | 申请日： | 2008-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101765903A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | R·I·赫德;斯里坎斯·B·萨马弗达姆 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件(10)的方法，包括制造具有覆盖栅电极(22)的栅电介质(17)。半导体器件(10)被制造在半导体层(12)上。在半导体层上沉积包括锆酸铪的高k电介质(16)。在包括氢和氮的环境中在650摄氏度与850摄氏度之间的温度下对高k电介质进行退火。在高k电介质上形成栅电极(22)。高k电介质工在栅电极(17)中使用。一种影响是在保持、甚至改善栅极漏电水平的同时改善晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 电介质 实现 cet 缩放 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体层上制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成栅电介质，其中，形成所述栅电介质包括在半导体层上沉积包括锆酸铪的高k电介质；在含有氢和氮的环境中在650摄氏度与850摄氏度之间的温度下对所述高k电介质进行退火；以及在所述高k电介质上形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
