[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 200880101256.4 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101765914A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 大场和博;水口徹也;保田周一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋;梁韬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻变化型存储装置，该装置能够提高在存储状态和擦除状态下的电阻值的保持能力。包括高电阻层(2)和离子源层(3)的存储层(5)被设置在下部电极(1)和上部电极(4)之间。离子源层(3)包括作为添加元素的Al(铝)，以及诸如S(硫)、Se(硒)和Te(碲)(硫族化物元素)的离子导电材料和诸如Zr(锆)的待离子化的金属元素。由于离子源层(3)中包括铝，在擦除操作中在阳极上形成了包括Al(Al氧化物)的高电阻层。因此，改善了高电阻状态下的保持特性，同时提高了操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，所述存储元件具有在第一电极和第二电极之间的包含离子源层的存储层，并通过所述存储层电特性的变化来存储信息，其中，所述离子源层包括Al(铝)，以及离子导电材料和待离子化的金属元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
