[发明专利]制造高纯单质硅的方法无效
| 申请号： | 200880101278.0 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101801847A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | A·马西森;J·W·克尼策 | 申请（专利权）人： | 波士顿硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过使四氯化硅与液体金属还原剂在双反应器构造中反应来制造高纯单质硅的方法。第一反应器用于将四氯化硅还原成单质硅，产生单质硅和还原金属氯化物盐的混合物，而第二反应器用于将该单质硅与该还原金属氯化物盐分离。用本发明制成的单质硅具有足以用于制造硅光伏器件或其它半导体器件的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 高纯 单质 方法 | ||
【主权项】：
制造高纯单质硅的方法，包括下列步骤：(a)将四氯化硅和碱金属或碱土金属还原剂在比该碱金属或碱土金属沸点低的温度下引入反应器，产生碱金属或碱土金属氯化物盐和单质硅的混合物，和(b)在第二反应器中将该碱金属或碱土金属氯化物盐与该单质硅分离。
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