[发明专利]铁电极板晶畴反转的方法及其应用有效
申请号: | 200880101300.1 | 申请日: | 2008-07-31 |
公开(公告)号: | CN101821665A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 胡烨 | 申请(专利权)人: | C2C晶芯科技公司 |
主分类号: | G02F1/05 | 分类号: | G02F1/05;G02F1/355;G02F1/37;H01S3/06;H01S3/0933;H01S3/14 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 加拿大;CA |
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摘要: | 本发明涉及一种控制晶核形成的方法,该方法可在单畴铁电极板(例如掺氧化镁铌酸锂的极板)上实现设计的晶畴反转。该方法包括:利用电晕放电法,对带有指定电极光栅的极板进行第一次极化,形成电极光栅下的浅晶畴反转(即晶核形成),紧接着,根据静电法进行第二次晶体极化,以实现均匀的深晶畴反转。本发明的另一个目的在于提供一种生成宽波带光源的方法,该方法采用一种具有周期性晶畴反转结构的非线性晶体。 | ||
搜索关键词: | 极板 反转 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种铁电极板晶畴的反转方法,其中采用了两个晶体极化步骤,第一步是在电极光栅下方生成均匀的晶畴反转晶核形成,第二步是在初始晶核形成区域穿过极板厚度形成均匀的深晶畴反转。
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