[发明专利]静电卡盘装置的制造方法无效
申请号: | 200880101558.1 | 申请日: | 2008-07-28 |
公开(公告)号: | CN101803000A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 藤井佳词;中野贤明;福本英范;宫永信正 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种静电卡盘的制造方法。当由硅酮橡胶及树脂制造在保持被卡物时与该被卡物接触的介电层时,不受其制造时残留在表面或内部的杂质的影响,从使用之初起不发生性能偏差以及脱离不良。在将介电层(6)组装在设置有电极(5)的基材(3)表面之前或组装在该基材(3)表面之后,实施向所述介电层(6)的接触面按压加热到规定温度的加热板(7)的工序。 | ||
搜索关键词: | 静电 卡盘 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种静电卡盘的制造方法,包括在基材上设置电极的工序、以及在设置有所述电极的基材表面设置接触被卡物的介电层的工序,其特征在于,还包括将所述介电层组装于基材上之前或组装于基材上之后,将加热体按压到前述介电层接触面上的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科,未经株式会社爱发科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880101558.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:结合有臭氧产生器的汽、柴油引擎排气管
- 下一篇:双极分层型双电层电容器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造