[发明专利]一种使用保护性含钇涂层涂覆半导体处理设备的方法有效
| 申请号： | 200880101675.8 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101772589A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 詹尼弗·Y·孙;赛恩·撒奇;吉姆·德姆普斯特;徐理;肯尼思·S·柯林斯;段仁官;托马斯·格瑞斯;贺小明;元洁 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵飞;南霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 保护性 涂层 半导体 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种在物体表面喷涂涂层以提供其可耐含卤素等离子体腐蚀性的方法，其中所述涂层是利用选自下列的技术来喷涂：火焰喷涂、热喷涂和等离子体喷涂，且其中该喷涂层包含至少一中含钇固溶体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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