[发明专利]生长在刃型位错模板上的Ⅲ族氮化物器件无效
| 申请号： | 200880101732.2 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101849296A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | L·T·罗马诺 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 龚海军;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 半导体发光器件包括纤维锌矿III族氮化物半导体结构，此III族氮化物半导体结构包括布置在n型区(71)和p型区(73)之间的发光层(72)。模板层(18)和位错弯曲层(20)在所述发光层(72)之前生长。所述模板层(18)生长为使得所述模板层内的位错的至少70％是刃型位错(29、30、31、32)。所述模板层内的刃型位错(29、30、31、32)的至少一些延续到所述位错弯曲层内。所述位错弯曲层(20)生长为具有与所述模板层(18)不同量值的应变。在所述模板层(18)和所述位错弯曲层(20)之间的界面处的应变改变导致所述模板层内的刃型位错(29、30、31、32)的至少一些在所述位错弯曲层内弯曲到不同的取向。生长在弯曲的刃型位错(33)之上的半导体材料可呈现减小的应变。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 刃型位错 模板 氮化物 器件 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：纤维锌矿III族氮化物半导体结构，包括：布置在n型区71和p型区73之间的发光层72；在所述发光层之前生长的模板层75，其中：所述模板层具有总数目的位错；以及所述位错的至少70％是刃型位错29、30、31、32。
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