[发明专利]退火装置无效
| 申请号： | 200880102499.X | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101828251A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 河西繁;铃木智博;田中澄;米田昌刚;宫下大幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的退火装置具有：处理室(1)，其容纳晶片(W)；加热源(17a、17b)，其被设置成面向晶片(W)的面，并具有对晶片(W)照射光的多个LED(33)；透光部件(18a、18b)，其对应于上述加热源(17a、17b)地设置，并使来自发光元件(33)的光透射，其中，加热源(17a、17b)构成为在支撑体(32)上朝向晶片(W)侧安装有多个发光元件(33)，发光元件分别单独地被由透明树脂构成的透镜层(20)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种退火装置，其特征在于，具备：处理室，其容纳被处理体；支撑部件，其在上述处理室内支撑被处理体；加热源，其被设置成面向上述支撑部件上的被处理体的至少一侧的面，并具有对被处理体照射光的多个发光元件；透光部件，其对应于上述加热源地设置，并使来自上述发光元件的光透射；排气机构，其对上述处理室内进行排气；处理气体供给机构，其向上述处理室内供给处理气体，其中，上述加热源具有支撑体和在其之上朝向被处理体侧被安装的多个发光元件，上述发光元件分别单独地被透镜层覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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