[发明专利]生产多晶硅的方法无效

专利信息
申请号: 200880103617.9 申请日: 2008-08-15
公开(公告)号: CN101795964A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 安德雷·帕夫洛维奇·丘卡诺夫;鲁斯兰·阿列克谢耶维奇·舍甫琴柯;亚历山大·尤列维奇·瓦赫鲁申;奥列格·亚历山德罗维奇·曼许里安特塞夫;斯特拉·瓦列里埃夫娜·斯梅坦金娜 申请(专利权)人: "索拉斯"有限责任公司
主分类号: C01B33/033 分类号: C01B33/033
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 林柏楠;刘金辉
地址: 俄罗斯联*** 国省代码: 俄罗斯;RU
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摘要: 发明涉及冶金和/或化学领域,更特别涉及用于生产四氟化硅气体和由所述四氟化硅气体生产多晶硅的方法和设备。用于由氟硅酸溶液生产四氟化硅的方法包括:生成、洗涤、干燥、分解酸提取物、将未分离的四氟化硅和氟化氢流鼓泡通过二氧化硅。硅生产方法包括使四氟化硅气体和镁蒸气相互反应,然后分离最终产物。本发明可以生产高纯硅、提高最终产率、改进生产的环保特性、简化硅生产过程并降低最终产物的生产成本。
搜索关键词: 生产 多晶 方法
【主权项】:
由氟硅酸溶液生产多晶硅的技术,其特征在于:-由氟硅酸溶液通过氟硅酸和有机碱之间的相互反应制造有机溶解性氟硅酸盐;-用55至60℃的空气或惰性气体将所获氟硅酸盐干燥;-由氟硅酸盐制造气态四氟化硅;-通过将氟硅酸盐分解成气态四氟化硅和氟化氢,制造气态四氟化硅;-在发烟硫酸的存在下,使制成的未分离的气态四氟化硅和氟化氢流过二氧化硅;-在不高于1000℃的温度用镁蒸气由生成的气态四氟化硅还原出硅;-分离还原产物,同时产生球形粉末形式的多晶硅,所述还原产物是硅和氟化镁粉末的混合物;-将制成的多晶硅与氟化镁分离。
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