[发明专利]屏蔽的栅极沟槽场效应晶体管的方法和结构

摘要

一种屏蔽的栅极场效应晶体管，包括延伸进入半导体区的沟槽。屏蔽电极位于沟槽的下部中，并且通过屏蔽电介质与半导体区绝缘。屏蔽电介质包括第一介电层和第二介电层，第一介电层在第二介电层和半导体区之间延伸。第二介电层包括在氧化过程中抑制沿第二介电层覆盖的半导体区的表面的氧化物生长的材料。电极间电介质覆盖屏蔽电极之上，并且栅极电介质顺着上沟槽侧壁。栅电极位于电极间电介质之上的沟槽的上部中。

主权项

一种屏蔽的栅极场效应晶体管，包括：沟槽，延伸进入半导体区；屏蔽电极，位于所述沟槽的下部中，所述屏蔽电极通过包括第一介电层和第二介电层的屏蔽电介质而与所述半导体区绝缘，所述第一介电层在所述第二介电层和所述半导体区之间延伸，所述第二介电层包括用于在氧化过程中抑制沿由所述第二介电层覆盖的所述半导体区的表面的氧化物生长的材料；电极间电介质，覆盖在所述屏蔽电极之上；栅极电介质，附衬于上沟槽侧壁；以及栅电极，位于所述电极间电介质之上的所述沟槽的上部中。