[发明专利]基于氧化锌纳米棒的光伏电池及其制造方法有效
申请号: | 200880103937.4 | 申请日: | 2008-07-09 |
公开(公告)号: | CN101861654A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 马尔·克伦克斯;阿塔纳斯·凯特斯基;塔特杰纳·德多瓦;阿尔沃·米尔;伊洛纳·奥杰阿西克 | 申请(专利权)人: | 塔林科技大学 |
主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 爱沙尼*** | 国省代码: | 爱沙尼亚;EE |
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摘要: | 新型光伏(PV)电池结构体,其在具有透明导电氧化物(TCO)层的透明基底上制备并具有纳米棒氧化锌层。所述电池具有:沉积在所述纳米棒氧化锌层上的掺杂氧化锌的薄导电层、在所述薄导电层上的氧化钛或硫化铟的极薄阻挡层、在所述极薄阻挡层上的硫化铟的缓冲层、在所述缓冲层上的包括二硫化铟铜的吸收剂层、以及与所述透明导电氧化物层连接的一个电极和与所述吸收剂层连接的第二电极。而且,公开了完全通过化学喷射热解来制备氧化锌纳米棒PV电池的方法。通过简单的连续非真空过程实现最高至3.9%的效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化锌 纳米 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
光伏电池结构体,包括:覆盖有透明导电氧化物层的透明基底;纳米棒氧化锌层,其沉积在所述透明导电氧化物层上;包裹所述氧化锌层的所述纳米棒的极薄阻挡层,所述阻挡层包括TiO2或InxSy,其中x、y为整数;在所述极薄阻挡层上的缓冲层,所述缓冲层包括选自In2S3、CdS和ZnS的材料;在所述缓冲层上的吸收剂层,所述吸收剂层包括选自CuInS2、CuInSe2、CuInGaS2、CuInGaSe2、Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4的材料;和一对电极,第一电极与所述透明导电氧化物层连接且第二电极与所述吸收剂层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的