[发明专利]导电体层的制造方法

摘要

本发明提供能够以良好的生产性制造导电性良好且透明度良好的氧化钛系导电体层的方法。该方法是在将基体加热的状态下，在该基体上依次形成由添加了Nb等掺杂剂的氧化钛构成的第1层和第2层，藉此形成导电体层。第1层以形成为含多晶且该多晶不含金红石型结晶的层的成膜条件形成。直接在基体上形成第2层时，以获得含多晶且该多晶含金红石型结晶的层的成膜条件形成。

主权项

导电体层的制造方法，其特征在于，包括以下的2个步骤：在将基体加热的状态下，以下述(1)的成膜条件在该基体上形成第1层的步骤1，其中该第1层由添加了选自Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及Bi构成的掺杂剂组中的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成，在将基体加热的状态下，以下述(2)的成膜条件在所述第1层上形成第2层的步骤2，其中该第2层由添加了选自所述掺杂剂组中的1种或2种以上的掺杂剂的氧化钛形成，(1)单层成膜试验中，获得含多晶且该多晶不含金红石型结晶的层的成膜条件，(2)单层成膜试验中，获得含多晶且该多晶含金红石型结晶的层的成膜条件。