[发明专利]Si衬底上的高空穴迁移率p沟道Ge晶体管结构有效
| 申请号： | 200880104492.1 | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101790790A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | M·K·胡代特;S·达塔;J·T·卡瓦列罗斯;P·G·托尔钦斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开提供了一种用于实现在硅(“Si”)衬底上的高空穴迁移率p沟道锗(“Ge”)晶体管结构的装置和方法。一种示例性装置可以包括：包括GaAs成核层、第一GaAs缓冲层和第二GaAs缓冲层的缓冲层。所述示例性装置还可以包括在所述第二GaAs缓冲层上且带隙大于1.1eV的底部阻挡层、在所述底部阻挡层上且相对于所述底部阻挡层具有大于0.3eV的价带偏移的Ge有源沟道层、以及在所述Ge有源沟道层上的AlAs顶部阻挡层，其中，所述AlAs顶部阻挡层的带隙大于1.1eV。当然，在不偏离本实施例的情况下，可以有许多替代、变化和变型。 | ||
| 搜索关键词： | si 衬底 空穴 迁移率 沟道 ge 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括Si衬底；在所述Si衬底上的缓冲层，所述缓冲层包括GaAs成核层、第一GaAs缓冲层和第二GaAs缓冲层；在所述缓冲层上的底部阻挡层，所述底部阻挡层的带隙大于大约1.1eV；在所述底部阻挡层上的Ge有源沟道层，其中，所述底部阻挡层和所述Ge有源沟道层之间的价带偏移大于大约0.3eV；以及在所述Ge有源沟道层上的AlAs顶部阻挡层，其中，所述AlAs顶部阻挡层的带隙大于大约1.1eV。
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