[发明专利]光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物和半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于得到一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其可以进行均匀涂布，并且抑制热固化时升华物的产生。进一步的目的在于，得到一种用于形成相对于上层抗蚀剂、具有较大的干蚀刻选择比的抗蚀剂下层膜的组合物。本发明提供了一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有聚硅烷化合物和有机溶剂，所述聚硅烷化合物具有下述式(1)所示的结构单元，式中，R¹和R²分别独立地表示-X-Y所示的基团，或R¹和R²中的一者表示所述-X-Y所示的基团，另一者表示芳基、甲基、乙基或碳原子数3～6的环状烷基，其中，X表示氧原子、碳原子数1～18的亚烷基或-OC_nH_2n-(式中，n表示1～18的整数。)，Y表示内酯环或金刚烷环。

主权项

1.一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有聚硅烷化合物和有机溶剂，所述聚硅烷化合物具有下述式(1a)所示的结构单元，并且，所述聚硅烷化合物是利用凝胶渗透色谱测定的重均分子量为1000～15000的具有下述式(5)所示的结构单元的聚硅烷化合物与式Y-OH、式Y-C_nH_2nOH或式Y-CH＝CH₂所示的化合物反应得到的聚合物，式中，Y表示内酯环或金刚烷环，所述内酯环为4元环、5元环或6元环，n表示1～18的整数，式中，R¹表示芳基、甲基、乙基或碳原子数3～6的环状烷基，X表示氧原子、碳原子数1～18的亚烷基或-OC_nH_2n-所示的基团，Y表示内酯环或金刚烷环，所述内酯环为4元环、5元环或6元环，式-OC_nH_2n-中的n表示1～18的整数，式中，R¹定义与上述式(1a)中的定义相同。