[发明专利]制造半导体芯片的方法以及包含通过该方法获得的半导体芯片的半导体器件有效
| 申请号： | 200880104976.6 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101796629A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 赵光济;张敬豪 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将半导体晶片切片的方法。所述方法抑制芯片被晶片切片期间产生的硅尘污染，从而抑制在后续的引线结合步骤中的缺陷，例如在结合引线中的缺陷、半导体器件的污染等。所述用于切片半导体晶片的方法包括步骤：在将所述晶片切片之前将含氟聚合物涂层剂施加到其上形成有电路图案的晶片的一个表面上以形成聚合物涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 芯片 方法 以及 包含 通过 获得 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体芯片的方法，该方法包括：在所述半导体芯片的表面上形成含氟聚合物涂层；将所述晶片切片；以及移除所述含氟聚合物涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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