[发明专利]用于生长垂直排列的线阵列的晶片的再利用方法无效
| 申请号： | 200880105133.8 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101796648A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 约书亚·M·斯珀津;凯瑟琳·E·普拉斯;内森·S·刘易斯;H·A·阿特沃特 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚技术学院 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 颜涛;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过将线阵列转移到聚合物基体、再利用用于几个阵列生长的图案化的氧化物以及最后抛光和再氧化晶片表面并再应用图案化的氧化物，来再利用用于线阵列的形成的硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 垂直 排列 阵列 晶片 再利用 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括步骤：(a)在衬底上制造半导体结构；(b)将所制造的半导体结构封入粘合剂材料基体中；(c)将所制造的半导体结构从所述衬底释放；以及(d)通过重复步骤(a)到(c)来再利用所述基底以制造另外的半导体结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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