[发明专利]聚合物嵌入式半导体棒阵列无效
申请号: | 200880105135.7 | 申请日: | 2008-07-18 |
公开(公告)号: | CN102067324A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 内森·S·刘易斯;凯瑟琳·E·普拉斯;约书亚·M·斯珀津;H·A·阿特沃特 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚技术学院 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 颜涛;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种由嵌入在粘合剂材料中的良序半导体结构组成的结构,所述粘合剂材料保持所述半导体结构的次序和取向。用于形成这种结构的方法包括在衬底上形成半导体结构,将粘合剂材料涂布到所述衬底上以在所述粘合剂材料中嵌入所述半导体材料,以及在所述衬底处将所述粘合剂材料从所述衬底分离。这些方法为保持分离的粘合剂材料中的高度有序的半导体的取向和次序做准备。 | ||
搜索关键词: | 聚合物 嵌入式 半导体 阵列 | ||
【主权项】:
一种结构,其包括:粘合剂材料层;以及分隔开的半导体结构的有序阵列,其中每一个半导体结构都具有长度尺寸,且其中所述半导体结构沿着每一个半导体结构的至少一部分所述长度尺寸被保形地限制在所述粘合剂材料层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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