[发明专利]荧光体和其制造方法、以及使用该荧光体的发光装置有效

专利信息
申请号: 200880105260.8 申请日: 2008-09-01
公开(公告)号: CN101796157A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 盐井恒介;广崎尚登;三木久幸 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;C09K11/08;H01L33/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种荧光体,具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示组成的荧光材料,其特征在于,M(0)元素选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu,M(1)元素选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb,M(2)元素选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr,M(3)元素选自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn,O元素是氧,N元素是氮,并且满足下面所有条件:33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56,3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2,当设定me=a+b时,0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7,v={a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)。进而本发明还涉及该荧光体的制造方法和使用该荧光体而成的发光装置。
搜索关键词: 荧光 制造 方法 以及 使用 发光 装置
【主权项】:
一种荧光体,具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示组成的荧光材料,其特征在于,M(0)元素是选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu中的1种以上元素,M(1)元素是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1种以上的赋活剂,M(2)元素是选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr中的1种以上元素,M(3)元素是选自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn中的1种以上元素,O元素是氧,N元素是氮,并且M(0)、M(1)、M(2)、M(3)、O、N的原子比被调整成满足下面的所有条件:x、y、z满足:33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56,a、b满足:3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2,当设定me=a+b时,m、n满足:0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7,v满足:v={a·v(0)+b·v(1)}/(a+b),其中,v(0)是M(0)离子的价数,v(1)是M(1)离子的价数。
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