[发明专利]制备有机半导体化合物的单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 200880105268.4 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101796621A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 加藤隆志;五十岚达也;岛田敏宏;石井由威 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社;国立大学法人东京大学 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;C30B29/54;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 制备有机半导体化合物的单晶薄膜的方法，该方法包括下列步骤：通过将有机溶剂涂布到基板(2)上而在基板(2)上形成液膜(9)，其中所述有机溶剂具有不小于4.5的介电常数，并且所述有机半导体化合物在其中可溶；将所述有机半导体化合物提供并溶解到液膜(9)中；以及在所述有机溶剂中将所述有机半导体化合物结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 有机半导体 化合物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
制备有机半导体化合物的单晶薄膜的方法，其包括下列步骤：将有机溶剂施加在基板上，在基板上形成该有机溶剂的液膜，其中所述有机溶剂具有4.5或更大的介电常数并且所述有机半导体化合物在其中可溶；将所述有机半导体化合物提供到所述有机溶剂的液膜中，以在其中溶解；和在所述有机溶剂中结晶所述有机半导体化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
