[发明专利]用于高度准直光收集布置的方法和装置有效
申请号: | 200880105514.6 | 申请日: | 2008-06-12 |
公开(公告)号: | CN101796617A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 维甲压库马尔·C·凡尼高泊;埃里克·A·派普 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人: | 樊英如 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供一种用于在等离子体处理室中在等离子体处理过程中进行等离子体的光询问的方法。该方法包括提供光学观察孔。该方法还包括提供准直仪布置。该准直仪布置被配置为具有多个准直仪,其中该多个准直仪的第一准直仪与该多个准直仪的第二准直仪由连接区域分开。该方法进一步包括当正在处理基板时,通过该准直仪布置收集来自该等离子体处理室中的该等离子体的光信号,产生高度准直的光信号。 | ||
搜索关键词: | 用于 高度 准直光 收集 布置 方法 装置 | ||
【主权项】:
用于在等离子体处理室中在等离子体处理过程中进行等离子体的光询问的方法,包含:提供光学观察孔;提供准直仪布置,所述准直仪布置耦合于所述光学观察孔,所述准直仪布置被配置为具有多个准直仪,其中所述多个准直仪的第一准直仪与所述多个准直仪的第二准直仪由连接区域分开;以及当正在处理基板时,通过所述准直仪布置收集来自所述等离子体处理室中的所述等离子体的光信号,产生高度准直的光信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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