[发明专利]电气电路的开关装置

摘要

一种作为开关装置的复合半导体装置(20)具有第1和第2主端子(11、12)、主控制端子(13)、主IGFET(14)、作为保护切换元件的副IGFET(15)、和栅电阻(16)。主IGFET(14)连接于第1和第2主端子(11、12)之间。副IGFET(15)连接于主IGFET(14)的漏极电极(D1)与栅极电极(G1)之间。副IGFET(15)的栅极电极(G2)连接于主IGFET(14)的源极电极(S1)。副IGFET(15)在向主IGFET(14)施加反向电压时导通。由此，达到作为主切换元件的主IGFET(14)的保护。

主权项

一种电气电路的开关装置，其特征在于，具备：施加电压的第1和第2主端子；提供控制信号的主控制端子；主绝缘栅型场效应晶体管，其具备：第1导电型的漏极区域；配置于所述漏极区域上且具有露出面的第2导电型的主体区域；形成于所述主体区域中且具有露出面的第1导电型的源极区域；欧姆接触所述漏极区域且连接于所述第1主端子的漏极电极；欧姆接触所述源极区域且肖特基接触所述主体区域并连接于所述第2主端子的源极电极；在所述源极区域与所述漏极区域之间的所述主体区域的露出面形成的栅极绝缘膜；和隔着所述栅极绝缘膜与所述主体区域的露出面相对的栅极电极；和保护开关部件，当向所述漏极电极与所述源极电极之间施加使所述主绝缘栅型场效应晶体管的所述肖特基接触反偏置方向的电压时，变为导通状态，以保护所述主绝缘栅型场效应晶体管，并具有连接于所述主绝缘栅型场效应晶体管的所述漏极电极的第1主端子、连接于所述主绝缘栅型场效应晶体管的所述栅极电极的第2主端子和控制端子。