[发明专利]制备高浓度金属氧化物层的方法以及由此制造的层无效
| 申请号： | 200880105894.3 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101802268A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·B·博查尔斯利;布伦特·W·柯比;戴维·道林 | 申请（专利权）人： | 应用半导体国际有限公司;普林斯顿大学理事会 |
| 主分类号： | C23F13/00 | 分类号： | C23F13/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 用于制造氧化物层的方法包括使金属表面氧化，其中所述金属表面与电子控制单元(ECU)电连接；其中，与通过在没有ECU下使所述金属表面氧化所制造的金属氧化物层中存在的金属的量相比，所制造的金属氧化物层具有更高的存在于所述金属氧化物层的金属量；或者使可氧化的非金属导电表面氧化，其中所述可氧化的非金属导电表面与电子控制单元(ECU)电连接；其中所制造的氧化物层比通过在没有ECU下使所述可氧化的非金属导电表面氧化制造的层具有更高浓度；以及由此所制造的金属氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 浓度 金属 氧化物 方法 以及 由此 制造 | ||
【主权项】：
一种用于制造金属氧化物层的方法，包括：使金属表面氧化，其中所述金属表面与电子控制单元(ECU)电连接；其中，与通过在没有ECU下使所述金属表面氧化所制造的金属氧化物层中存在的金属相比，所制造的金属氧化物层具有更高含量的存在于所述金属氧化物层中的金属。
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