[发明专利]由籽晶制造铸造硅的方法无效
| 申请号： | 200880106116.6 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101796226A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 内森·G·斯托达德 | 申请（专利权）人： | BP北美公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/14;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于铸造硅的方法和设备，所述硅用于光电池和其它应用。利用这类方法和设备，可以形成单晶硅或双晶硅的铸造主体，所述主体不含或基本上不含径向分布的杂质和缺陷，并具有各自为至少约35cm的至少两个尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 制造 铸造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造铸造硅的方法，所述方法包括：在容器内放置熔融硅，该熔融硅与籽晶图案接触，所述容器具有至少被加热到硅的熔化温度的一个以上侧壁和至少一个用于冷却的壁，其中所述籽晶图案包含多个单晶硅籽晶，其中一个以上所述单晶硅籽晶以第一晶体取向排列，并且一个以上所述单晶硅籽晶以第二晶体取向排列；以及形成含单晶硅区域的固体主体。
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