[发明专利]表面等离子气体处理无效
| 申请号： | 200880106179.1 | 申请日： | 2008-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101873886A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·卢梭;卡蒂娅·阿莱格罗;奥利维·高特乐 | 申请（专利权）人： | 法国高等理工学院;国家科学研究中心 |
| 主分类号： | B01D53/32 | 分类号： | B01D53/32 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 张恒康 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种气体处理装置，适用于在光触媒附近生成表面等离子体，其具有平面结构。光触媒以一薄层(4)的形式沉积于一电介质基板(3)上，并且至少一等离子供应电极(1，2)形成于光触媒薄层上。这种结构增强了等离子体和光触媒之间的相互作用。该装置可用于污染控制、气味消减或者杀菌处理类型的高效的气体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子 气体 处理 | ||
【主权项】：
气体处理装置(11)包括：-电介质支持体(3)，具有活跃面(S1)和与所述活跃面相平行的背面(S2)；-支持体的活跃面所承载的第一电极(1)；-支持体的背面所承载的第二电极(2)，并且其沿着平行于支持体的方向(L)相对于第一电极偏移；以及-安置于支持体活跃面上的至少一部分光触媒(4)，并且当所述光触媒接受辐射时，其能够激活对于气体的处理，所述装置适用于在支持体(S1)的活跃面上的区域(P1)中形成表面等离子体，当所述第一电极和第二电极连接至电源(10)的两端时，该区域从第一电极(1)朝向第二电极(2)扩展，并且所述等离子体产生由光触媒接收的辐射；该装置的特征在于部分光触媒(4)是位于支持体活跃面(S1)上的薄层，并且其中第一电极(1)被安置于至少一部分光触媒薄层(4)上，位于在支持体对面的所述薄层的一侧上。
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