[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在通过相对栅极长度方向呈水平地形成多个沟槽来增大每单位面积的栅极宽度的高驱动能力横型MOS中，为了在不增加元件面积的情况下进一步改善驱动能力，而作出一种半导体装置，其中包括：高电阻第一导电型半导体的阱区，在离半导体衬底表面一定的深度设置；多个沟槽，从所述阱区的表面达到中途的深度；栅极绝缘膜，设于所述沟槽所形成的凹凸部的表面；栅电极膜，设置在衬底表面并在埋入所述沟槽内部的栅电极和所述沟槽两端附近除外的所述凹凸部区域中与埋入所述沟槽内部的栅电极接触；栅电极膜，与所述栅电极膜接触并埋入为使其表面在所述沟槽两端附近的沟槽内部位于比半导体衬底表面更深的位置；以及2个低电阻第二导电型半导体层即源极区和漏极区，在从不与所述栅电极膜接触的半导体面设成比所述阱区的深度浅。

主权项

一种半导体装置，其中包括：高电阻第一导电型半导体的阱区，在离半导体衬底表面一定的深度设置；多个沟槽，从所述阱区的表面达到中途的深度；栅极绝缘膜，设于所述沟槽所形成的凹部及凸部的表面；第一栅电极，埋入于所述沟槽的内部；第二栅电极，设置在所述半导体衬底表面并在所述沟槽的两端附近除外的所述凹部及凸部的区域中接触于所述第一栅电极；第三栅电极，接触于所述第一栅电极及所述第二栅电极并埋入成使其表面在所述沟槽的两端附近的沟槽内部位于比所述半导体衬底表面深的位置；以及低电阻第二导电型半导体层的源极区及漏极区，在从不与所述第三栅电极接触的半导体面到所述沟槽的所述凹部的侧面，设置为比所述沟槽的所述凸部的表面深，而且比所述阱区的深度浅。