[发明专利]半导体装置以及导线焊接方法有效
申请号: | 200880106288.3 | 申请日: | 2008-09-12 |
公开(公告)号: | CN101803013A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 田中宏明 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60;H01L29/06;H01L29/739 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;张彬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体装置(2),包括:场限环(FLR)(65),其布置在半导体基板上,以便将所述半导体基板划分成内部区域和外部区域;第一焊接盘(24a至24d),其布置在所述内部区域中,并且通过一端连接到外部电路上的导线(14a至14d)而连接到所述外部电路上;以及第二焊接盘(26a至26d),其布置在所述外部区域中,并且所述导线的另一端被焊接在所述第二焊接盘上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 导线 焊接 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:场限环,其布置在半导体基板的表面的外周部上,以沿所述半导体基板的外周连续延伸;第一焊接盘,其布置在所述半导体基板的在所述场限环内的区域中,并且电连接到形成在所述半导体基板中的半导体区域上;以及第二焊接盘,其布置在所述半导体基板的在所述场限环外的区域中,并且与形成在所述半导体基板中的所述半导体区域绝缘。
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