[发明专利]成膜装置的排气系统结构、成膜装置和排出气体的处理方法有效
申请号: | 200880106461.X | 申请日: | 2008-09-01 |
公开(公告)号: | CN101802256A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 松本贤治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52;H01L21/28 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置的排气系统结构、成膜装置和排出气体的处理方法。该成膜装置的排气系统结构,具有排出处理容器(11)内的排出气体的排气管(51),设置于排气管(51)的处理容器(11)附近的自动压力控制器(52),设置于排气管(51)的自动压力控制器(52)下游侧的真空泵(54),在排气管(51)的自动压力控制器(52)下游侧的位置供给氧化剂的氧化剂供给部(57),设置于排气管(51)的氧化剂供给位置下游侧、回收排出气体中的有机金属原料气体成分和副产物与上述氧化剂反应生成的生成物的捕集机构(53),和设置于排气管(51)的捕集机构(53)下游侧的除害装置(55)。 | ||
搜索关键词: | 装置 排气 系统 结构 排出 气体 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置的排气系统结构,该成膜装置向处理容器内供给含有有机金属原料气体的气体,利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜,其特征在于,具有:排出所述处理容器内的排出气体的排气管;设置于所述排气管的所述处理容器附近的自动压力控制器;设置于所述排气管的所述自动压力控制器下游侧,对所述处理容器内进行排气的真空泵;在所述排气管的所述自动压力控制器下游侧的位置,供给氧化剂的氧化剂供给部,该氧化剂用于使排出气体中的有机金属原料气体成分和副产物氧化;设置于所述排气管的所述氧化剂供给位置的下游侧,回收使所述排出气体中的有机金属原料气体成分和副产物与所述氧化剂反应而生成的生成物的捕集机构;和设置于所述排气管的所述捕集机构下游侧,用于使排出气体无害化的除害装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的