[发明专利]将选择性钌沉积集成到半导体器件的制造中的方法有效
| 申请号： | 200880106629.7 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101965635A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木健二 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于将Ru金属的选择性沉积集成到半导体器件的制造中以改善块Cu中的电迁移和应力迁移的方法。该方法包括利用包含Ru3(CO)12前躯体蒸汽和CO气体的处理气体通过热化学气相沉积工艺在金属化层(302)或块Cu(322)上选择性沉积Ru金属膜(312，324)。并且，本发明描述了包含一个或多个选择性沉积的Ru金属膜的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 沉积 集成 半导体器件 制造 中的 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在沉积系统的处理室中提供图案化衬底，所述图案化衬底包含处于电介质层中的凹入特征和处于所述凹入特征的底面的金属化层；形成包含Ru3(CO)12前躯体蒸汽和CO气体的处理气体；将所述图案化衬底暴露于所述处理气体，以通过热化学气相沉积工艺在所述金属化层上选择性沉积第一Ru金属膜；在所述凹入特征中，包括在所述第一Ru金属膜上，沉积阻挡层；并且用块Cu填充所述凹入特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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