[发明专利]用于微机电系统生产的蚀刻工艺无效
| 申请号： | 200880106707.3 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101802985A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 颜小明;足·霍;戴维·希尔德;叶夫根尼·古塞夫;本杰明·W·赫茨勒;菲利普·弗洛耶;佐川照夫;安娜·隆代甘;约恩·比塔;托德·齐翁 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;B01D53/68 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造机电装置的方法，所述方法包括以包括例如二氟化氙(XeF2)等稀有气体氟化物的蚀刻剂来蚀刻牺牲层的步骤。可以各种方式来增加蚀刻工艺的效率，且可降低蚀刻工艺的成本。在所述蚀刻工艺期间可隔离及再循环未使用的蚀刻剂。在所述蚀刻工艺期间，可收集蚀刻副产物并从蚀刻系统中移除所述蚀刻副产物。可隔离所述蚀刻剂的组分并将其用于一般额外蚀刻剂。还可针对特定蚀刻工艺将所述蚀刻剂或所蚀刻的层中的任一者或两者优化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微机 系统 生产 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种制造电子装置的方法，其包括：提供包括待蚀刻层的电子装置，所述电子装置位于蚀刻室内；使所述牺牲层暴露于蚀刻剂，所述蚀刻剂包括稀有气体氟化物；收集来自所述蚀刻室的气体；以及处理所述所收集到的气体以将所述稀有气体氟化物与所述所收集到的气体分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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