[发明专利]采用基于单环戊二烯基钛的前体通过原子层沉积制备含钛薄膜的方法无效
| 申请号： | 200880106796.1 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101827956A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | P·N·海斯;A·金斯利;宋福全;P·威廉姆斯;T·利斯;H·O·戴维斯;R·奥迪德拉 | 申请（专利权）人： | 西格玛-奥吉奇公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
提供了通过原子层沉积形成含钛的膜的方法。该方法包含将至少一种前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(I)，其中：R是C1-C6-烷基；n是零、1、2、3、4或5；L是C1-C6-烷氧基或氨基，其中所述氨基任选地、独立地被C1-C6-烷基取代1或2次。 |
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| 搜索关键词： | 采用 基于 单环戊二烯基钛 通过 原子 沉积 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.通过原子层沉积形成含钛的膜的方法，该方法包含将至少一种前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式I：![]()
(式I)其中：R是C1-C6-烷基；n是零、1、2、3、4或5；L是C1-C6-烷氧基或氨基，其中所述氨基任选地、独立地被C1-C6-烷基取代1或2次。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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