[发明专利]具有半导体元件的传感器矩阵有效
申请号: | 200880106860.6 | 申请日: | 2008-09-15 |
公开(公告)号: | CN101803027A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | F·帕丁内尔 | 申请(专利权)人: | 纳米识别技术股份公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 赵科 |
地址: | 奥地*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 本发明涉及具有半导体元件的传感器矩阵(1)和制造这种器件的过程,其中传感器矩阵包括片状载体层(3)、第一电极排列结构(4)和至少一个第二电极排列结构(10)以及元件排列结构(6)。第一电极排列结构(4)被放置在载体层(3)的表面(2)上,并且元件排列结构(6)以多个有机半导体元件(7)的形式被放置在第一电极排列结构(4)上。第二电极排列结构(10)被布置在顶层(9)的表面(8)上,并且顶层(9)被布置在载体层(3)之上,使得第一电极排列结构(4)和第二电极排列结构(10)彼此面对面,并且第二电极排列结构(10)与元件排列结构(6)至少部分地导电性接触。 | ||
搜索关键词: | 具有 半导体 元件 传感器 矩阵 | ||
【主权项】:
一种具有半导体元件的传感器矩阵(1),包括片状载体层(3)、第一电极排列结构(4)和至少一个第二电极排列结构(10)、以及元件排列结构(6),其中元件排列结构(6)被设置在第一电极排列结构(4)上并且以多个半导体元件(13)的形式被提供,半导体元件(13)由有机半导体材料制成,并且第一电极排列结构(4)被设置在载体层(3)的表面(2)上,其特征在于:第二电极排列结构(10)被布置在顶层(9)的表面(8)上,顶层(9)被设置在载体层(3)之上,第一电极排列结构(4)和第二电极排列结构(10)彼此面对面,并且第二电极排列结构(10)与元件排列结构(6)至少在某些部分上导电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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