[发明专利]用于具有改进的热稳定性的合成反铁磁体结构的方法和装置有效
| 申请号： | 200880106907.9 | 申请日： | 2008-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101802936A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 孙吉军;R·戴夫;J·斯劳特 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F41/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 合成反铁磁体(SAF)结构(102)包括底部铁磁层(210)、在该底部铁磁层上形成的耦合层(206)，和在该耦合层上形成的顶部铁磁层(202)。顶部铁磁层和底部铁磁层之一包含以(Co100-aFea)100-zBz表征的非晶态合金，其中a小于约10原子％，且z大于约20原子％。大体上，磁性器件包括至少一个包含以(Co100-aFea)100-zBz表征的非晶态CoFeB合金的磁性层，其中a小于约10原子％，且z大于约20原子％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 改进 热稳定性 合成 磁体 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
合成反铁磁体(SAF)结构，其包含：底部铁磁层；在该底部铁磁层上形成的耦合层；和在该耦合层上形成的顶部铁磁层；其中顶部铁磁层和底部铁磁层中的至少一个包含以(Co100-aFea)100-zBz表征的非晶态CoFeB合金，其中a小于约10原子％，且z大于约20原子％。
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