[发明专利]共栅极连接的高电压瞬变阻断单元有效
申请号: | 200880107459.4 | 申请日: | 2008-09-10 |
公开(公告)号: | CN101796639A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | A·J·莫里什 | 申请(专利权)人: | 柏恩氏股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘佳;袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 当例如瞬变阻断单元(TBU)的串联保护性元件与例如气体放电管(GDT)的分路保护元件结合使用时,GDT的放电可造成具有损害TBU的电位的瞬变。这个问题可通过将TBU核心串联在具有栅极相连的耗尽型晶体管之间而得以减轻。通过这种配置,GDT瞬变造成TBU电路中的瞬变,这种瞬变具有使TBU周围的晶体管硬截止的效果,由此保护TBU不受GDT瞬变的影响。 | ||
搜索关键词: | 栅极 连接 电压 阻断 单元 | ||
【主权项】:
一种瞬变阻断单元(TBU),包括:(a)包含串联的三个或更多个耗尽型核心晶体管的TBU核心,其中当通过所述TBU核心的电流超过预定门限时所述TBU核心自动切换至高阻抗电流阻断状态;(b)具有第一栅极、第一源极和第一漏极的第一耗尽型晶体管;(c)具有第二栅极、第二源极和第二漏极的第二耗尽型晶体管,其中所述TBU核心串联于所述第一和第二耗尽型晶体管并位于两晶体管之间;以及(d)具有第一端子和第二端子的二端子栅极-栅极电路,其中所述栅极-栅极电路的所述第一端子连接于所述第一栅极,并且所述栅极-栅极电路的所述第二端子连接于所述第二栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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