[发明专利]成膜装置和成膜方法无效
申请号: | 200880108045.3 | 申请日: | 2008-09-19 |
公开(公告)号: | CN101802255A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 松本贤治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;H01L21/28;H01L21/285 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的成膜装置(100)具备收容晶片(W)的处理腔室(2)、向处理腔室(2)内供给含有Cu原料气体和Mn原料气体的气体的气体供给部(10)、向处理腔室(2)内导入来自气体供给部(10)的气体的喷头(4)、和对处理腔室(2)内进行排气的真空泵(8)。气体供给部(10)具有Cu原料储存部(21)、Mn原料储存部(22)、Cu原料和Mn原料被导入混合的总管(40)、使在总管(40)形成的混合体气化的一个气化器(42)、和将被气化形成的原料气体导入喷头(4)的原料气体供给配管(54)。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其用于向被处理基板上供给含有Cu原料气体和Mn原料气体的气体,形成CuMn膜,其特征在于,具备:收容被处理基板的处理容器;气体供给部,其用于向处理容器内供给含有Cu原料气体和Mn原料气体的气体;气体导入部,其用于向所述处理容器内导入来自所述气体供给部的气体;和对所述处理容器内进行排气的排气机构,其中,所述气体供给部具有:储存液态的Cu原料的Cu原料储存部;储存液态的Mn原料的Mn原料储存部;使所述Cu原料和所述Mn原料气化的一个气化器;从所述Cu原料储存部和所述Mn原料储存部向所述气化器导入Cu原料和Mn原料的原料供给单元;和从所述气化器向所述气体导入部导入Cu原料气体和Mn原料气体的原料气体供给配管。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的