[发明专利]预塌陷的电容微机械超声传感器的制造及其应用有效
| 申请号： | 200880108270.7 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101969856A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | P·迪克森;A·范德卢格特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | A61B8/00 | 分类号： | A61B8/00;B06B1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了用于制造预塌陷的电容微机械超声传感器(cMUT)的方法。公开的方法通常包括以下步骤：在刻蚀和密封膜之前获得接近完成的传统cMUT结构；穿过cMUT结构的膜给相对于膜的顶面固定的每个电极环限定孔；跨cMUT结构的膜和基底施加偏置电压，使得膜的邻近孔的区域向或朝向基底塌陷；通过施加包装层而将膜的塌陷的区域固定和密封至基底；以及中断或减小偏置电压。提供了CMUT组件，包括封装的组件、具有集成电路/芯片(例如束操控芯片)和cMUT/透镜组件的集成组件。提供了利用公开的预塌陷的cMUT的基于cMUT的有益应用，例如基于超声传感器的应用、基于导管的应用、基于针的应用以及流量计应用。 | ||
| 搜索关键词： | 塌陷 电容 微机 超声 传感器 制造 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种用于制造cMUT的方法，包括：a.提供接近完成的cMUT，其中所述接近完成的cMUT限定一或多个cMUT元件，所述一或多个cMUT元件包括：(i)基底层；(ii)电极板；(iii)膜层；以及(iv)电极环，b.穿过用于每个cMUT元件的所述膜层限定至少一个孔，c.跨所述一或多个cMUT元件的膜层和基底层施加偏置电压，使得所述膜层相对于所述基底层塌陷，d.通过施加包装层来固定并密封相对于所述基底层塌陷的该膜层。
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