[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和使用薄膜晶体管的显示装置有效
| 申请号： | 200880108292.3 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101809747A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 岛田干夫;林享;云见日出也 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种晶体管由栅电极2、栅绝缘层3、由非晶氧化物形成的半导体层4、源电极5、漏电极6和保护层7构成。保护层7以与半导体层4接触的方式被设置在半导体层4上，并且，半导体层4包含至少用作沟道层的第一层和具有比第一层的电阻高的电阻的第二层。第一层被设置在半导体层4的栅电极2侧，第二层被设置在半导体层4的保护层7侧。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 使用 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含栅电极、栅绝缘层、由非晶氧化物形成的半导体层、源电极、漏电极和保护层，其特征在于，所述保护层以与所述半导体层接触的方式被设置在所述半导体层上，并且，所述半导体层包含至少用作沟道层的第一层和具有比所述第一层的电阻高的电阻的第二层，所述第二层被设置在所述半导体层的所述保护层侧。
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