[发明专利]生产三氯硅烷的方法无效
申请号: | 200880108523.0 | 申请日: | 2008-08-29 |
公开(公告)号: | CN101808938A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | J·M·小比尔;C·W·梅尔克 | 申请(专利权)人: | 动力工程公司 |
主分类号: | C01B33/00 | 分类号: | C01B33/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 柳冀 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 利用氯化氢、冶金级或化学级硅原料的主反应的受污染副产物和/或改良西门子法的副产物制备高纯度三氯硅烷(TCS)的方法,所述副产物包括含有低沸点杂质如二氯硅烷(DCS)的“不纯的”TCS和含有高沸点杂质的“不纯的”STC。首先将“不纯的”STC纯化,使一部分与含有DCS的“不纯的”TCS反应以生成向TCS纯化过程的附加的TCS原料。将另一部分纯化的STC氢化并再转化为TCS,从而提供向TCS纯化过程的另一原料。所生产的高纯度TCS的总的净产率相对于现有技术得到提高。 | ||
搜索关键词: | 生产 硅烷 方法 | ||
【主权项】:
利用改良西门子法的污染的副产物制备高纯度三氯硅烷(TCS)的方法,该方法包括以下步骤:通过冶金级或化学级硅与氯化氢的反应合成“粗”TCS,其中该“粗”TCS是TCS纯化过程的主要原料;将“粗”TCS纯化,以分离出具有低沸点杂质和二氯硅烷(DCS)的“不纯的”TCS和含有高沸点杂质的“不纯的”四氯化硅(STC);由“不纯的”STC进行STC的纯化;将纯化的STC氢化,以生产向TCS纯化过程的附加的“粗”TCS进料;以及使“不纯的”TCS与纯化的STC在催化剂存在下反应以生产TCS,该TCS作为向TCS纯化过程的附加的TCS原料进行再循环。
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