[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200880109006.5 | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101809720A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 川上雅人;永关澄江;伊藤融 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够在通过电负性气体进行等离子体处理时，控制等离子体中的离子密度，比现有技术进一步提高等离子体处理的面内均匀性。将作为电负性气体的处理气体从处理气体源(170)导入到处理室(102)内，并且将与该处理气体相比电子附着系数大的电负性气体作为添加气体从添加气体源(180)导入来形成等离子体，此时，通过调整添加气体相对于处理气体的流量来控制所述等离子体中的离子密度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，将作为电负性气体的处理气体导入到处理室内形成等离子体来对被处理基板实施规定的等离子体处理，其特征在于：将与所述处理气体相比电子附着系数大的电负性气体作为添加气体与所述处理气体一起导入到所述处理室内形成等离子体，此时通过调整所述添加气体相对于所述处理气体的流量来控制所述等离子体中的离子密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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