[发明专利]化合物半导体外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200880109044.0 | 申请日： | 2008-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN101809769A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 久米史高;筱原政幸 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/30;C30B25/18;C30B29/40;H01L21/205 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据金属有机化合物气相外延法，具有以<100>方向作为基准方向，倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板(1)上，依次形成由包含两个或多个以上III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y≤1)构成的发光层部(24)和第一GaP层(7a)。其中，倾斜角用氢化物气相外延法，在第一GaP层(7a)上形成第二GaP层(7b)，(7c)。第二GaP层(7b)，(7c)作为二阶段生长，以第一生长速度的低速生长区域(7b)和以高于上述第一生长速度的第二生长速度的高速生长区域(7c)，在整个生长过程中，速度在10μm/hr到40μm/hr之间。从而提供一种化合物半导体外延晶片及其制造方法，它能够抑制通过氢化物气相外延法形成的厚的窗口层时产生的小丘高度。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体外延晶片，其特征在于，在具有以<100>方向作为基准方向、倾斜角为10°到20°之间的主轴的GaAs单结晶基板上，依次层叠由含有两种以上的III族元素的(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中0≤x≤1，0＜y≤1)构成的发光层部和厚度为50μm到250μm之间的GaP层，上述GaP层的表面是未研磨面，而且在上述未研磨面上形成的小丘的高度在10μm以下。
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