[发明专利]相变存储器结构有效
| 申请号： | 200880109055.9 | 申请日： | 2008-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101809669A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | R·穆拉利德哈;T·P·麦钱特;R·A·劳 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;H01L27/115;G11C13/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 相变存储器单元(1311)具有第一电极、加热器(1505)、相变材料、以及第二电极。加热器(1505)在第一电极之上，并且加热器包括柱。相变材料(1701)在加热器周围。第二电极被电耦合到相变材料。在某些实施例中，一种方法包括在衬底上形成电极层，沉积第一层，在第一层只傻姑娘提供纳米簇(1411)，并蚀刻第一层。第一层包括由加热器材料和相变材料组成的组之一。可以使用纳米簇(1411)限定图案来蚀刻第一层以便从第一层形成柱。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 结构 | ||
【主权项】：
一种相变存储器单元，包括：第一电极；位于第一电极之上的加热器，其中，所述加热器包括柱；在所述柱周围的相变材料；以及位于所述加热器和所述相变材料之上的第二电极，所述第一电极至少经由所述相变材料电耦合到所述第二电极。
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