[发明专利]自对准T栅极碳纳米管场效应晶体管器件和用于形成该器件的方法无效
| 申请号： | 200880109513.9 | 申请日： | 2008-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101897009A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | A·M·卡尔伯格 | 申请（专利权）人： | 射频纳米公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于形成自对准碳纳米管(CNT)场效应晶体管(FET)的方法。根据一个特征，形成自对准源极-栅极-漏极(S-G-D)结构使得栅极长度允许被缩短到任意小的值，因此使超高性能的CNT FET成为可能。根据另一特征，栅极的改进设计拥有T形(也被称为T栅极)，因此使得能够减小栅极电阻并且还提供增加的功率增益。使用简单的制造步骤来形成所述自对准T栅极的CNT FET以确保低成本、高产量的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 栅极 纳米 场效应 晶体管 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上淀积纳米管层；在所述纳米管层上形成源极和漏极；在所述源极和所述漏极之间的所述纳米管层上形成自对准栅极，其中所述自对准栅极具有大于所述纳米管层上的所述源极和所述漏极之间的栅极长度距离的整体宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于射频纳米公司，未经射频纳米公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880109513.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改进的专用螺丝起子头结构
- 下一篇：荧光检测用显微检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
